RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link