RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3393
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link