RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link