RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link