RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link