RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link