RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link