RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3604
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link