RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3470
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link