RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3558
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link