RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link