RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link