RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link