RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link