RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link