RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2730
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link