RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link