RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link