RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3367
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link