RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link