RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3908
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link