RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link