RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3287
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link