RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link