RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2636
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link