RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2967
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link