RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3183
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link