RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2699
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link