RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link