RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link