RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link