RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link