RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link