RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link