RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link