RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3500
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link