RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link