RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link