RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link