RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link