RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link