RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3095
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link