RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3502
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link