RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link