RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Причины выбрать
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2583

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
модули RAM