RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link