RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link