RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 26
    Около 8% меньшая задержка
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    20.9 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    18.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 20.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 18.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4217

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
модули RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
модули RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
модули RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
модули RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
модули RAM