RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link