RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link