RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link