RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link