RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link